資料介紹:
3.1 低壓TSC可控硅動態(tài)無功功率補(bǔ)償器要求采用可控硅組成的無觸點(diǎn)開關(guān)對多級電容器組進(jìn)行快速無過渡投切,起到良好的補(bǔ)償效果。響應(yīng)速度小于20ms,補(bǔ)償后功率因數(shù)應(yīng)在0.9以上,并能諧波,改善電壓質(zhì)量,減少線路損耗,提高電氣設(shè)備工作效率。控制器可全智能控制,確保可控硅過零觸發(fā),采用光電觸發(fā)技術(shù),動態(tài)實(shí)時跟蹤補(bǔ)償,終身免維護(hù),運(yùn)行