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3.1 低壓TSC可控硅動態(tài)無功功率補償器要求采用可控硅組成的無觸點開關(guān)對多級電容器組進行快速無過渡投切，起到良好的補償效果。響應(yīng)速度小于20ms，補償后功率因數(shù)應(yīng)在0.9以上，并能諧波，改善電壓質(zhì)量，減少線路損耗，提高電氣設(shè)備工作效率。控制器可全智能控制，確�？煽毓柽^零觸發(fā)，采用光電觸發(fā)技術(shù)，動態(tài)實時跟蹤補償，終身免維護，運行