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化合物半導體全球單體大芯片廠在深投產
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文章來源：中國自動化網
更新時間：2008-10-29
化合物半導體全球單體大芯片廠在深投產
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全球化合物半導體產業中單體大的無塵室凈芯片廠，于28日在深圳光明新區世紀晶源科技有限公司暨深圳化合物半導體產業基地投產。
全國政協副主席白立忱、全國政協副秘書長、全國政協辦公廳黨組書記楊崇匯、深圳市委書記劉玉浦、市長許宗衡等出席儀式。
據悉，該廠占地12000平方米，其中含1000、100、10級無塵室達7000平方米，其將形成“綜合III-V族化合物芯片廠”，發展并提供0.5-50GHz、0.3-1um GaAs HFET、GaAs PHEMT、GaN HEMT、1-3 um InGaP HBT、激光和PIN（檢測器）二極管、發光二極管與宇航級高轉換率太陽能電池的芯片生產。
“外延片與芯片，兩者都是產業鏈的上游。這就是突破性的意義。”著名光電子專家、中國工程院院士牛憨笨和曾任國家振興電子辦主任的國家開發銀行科技顧問湯丙午激動地說。
“過去，我們在光電子產業中只有樹枝、樹葉，而沒有樹根、主干。現在終于有了樹根、主干。不僅填補了我國的歷史空白，而且中國光電子產業從此可以開枝散葉蓬勃發展了”
據了解，國家科技部于2005年4月正式批準深圳建設“國家半導體照明工程產業化基地”。而世紀晶源的產業核心區首期投資128.9億元人民幣，預計產業基地達產后可實現直接年產值1000億元人民幣以上，并可拉動相關產業年產值4000億元人民幣以上。
全國政協副主席白立忱、全國政協副秘書長、全國政協辦公廳黨組書記楊崇匯、深圳市委書記劉玉浦、市長許宗衡等出席儀式。
據悉，該廠占地12000平方米，其中含1000、100、10級無塵室達7000平方米，其將形成“綜合III-V族化合物芯片廠”，發展并提供0.5-50GHz、0.3-1um GaAs HFET、GaAs PHEMT、GaN HEMT、1-3 um InGaP HBT、激光和PIN（檢測器）二極管、發光二極管與宇航級高轉換率太陽能電池的芯片生產。
“外延片與芯片，兩者都是產業鏈的上游。這就是突破性的意義。”著名光電子專家、中國工程院院士牛憨笨和曾任國家振興電子辦主任的國家開發銀行科技顧問湯丙午激動地說。
“過去，我們在光電子產業中只有樹枝、樹葉，而沒有樹根、主干。現在終于有了樹根、主干。不僅填補了我國的歷史空白，而且中國光電子產業從此可以開枝散葉蓬勃發展了”
據了解，國家科技部于2005年4月正式批準深圳建設“國家半導體照明工程產業化基地”。而世紀晶源的產業核心區首期投資128.9億元人民幣，預計產業基地達產后可實現直接年產值1000億元人民幣以上，并可拉動相關產業年產值4000億元人民幣以上。
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