規(guī)格
基本單元/EJ1G-TC
■額定值
項目 型號 | EJ1G-TC4 | EJ1G-TC2 | |
電源電壓 | 24 VDC | ||
使用電壓范圍 | 額定電壓的85% ~ 110% | ||
消耗功率 | 5 W以下(大負載下) | 4 W以下(大負載下) | |
輸入(見注) | 熱電偶: K, J, T, E, L, U, N, R, S, B, W, PLII ES1B紅外線熱敏傳感器: 10 ~ 70℃, 60 ~ 120℃, 115 ~ 165℃, 140 ~ 260℃ 模擬量輸入: 4 ~ 20 mA, 0 ~ 20 mA, 1 ~ 5 V, 0 ~ 5 V, 0 ~ 10 V 鉑電阻: Pt100, JPt100 | ||
輸入阻抗 | 電流輸入:150 Ω 以下,電壓輸入:1 MΩ以上 | ||
控制輸出 | 電壓輸出 | 輸出電壓:12 VDC ±15%,大負載電流:21 mA (帶短路保護電路的PNP型) | |
晶體管輸出 | --- | 大使用電壓:30 V,大負載電流100 mA | |
輸入和控制點數(shù) | 輸入點:4,控制點:4 | 輸入點:2,控制點:2 | |
設置方法 | 通過通信 | ||
環(huán)境溫度 | 使用:-10℃ ~ 55℃,保存:-25℃ ~ 65℃ (無結(jié)冰或結(jié)露) | ||
環(huán)境濕度 | 使用:25% ~ 85% (無結(jié)露) |
顯示精度 | 熱電偶輸入/鉑電阻輸入: (顯示值(PV)的±0.5%或±1℃,取較大者)±1位以下(見注1) 模擬量輸入: ±0.5% FS ±1位以下 CT輸入: ±5% FS ±1位以下 | |
溫度變化的影響(見注2) | 熱電偶輸入(R, S, B): (顯示值(PV)的±1%或±10℃,取較大者)±1位以下 其他熱電偶輸入: (顯示值(PV)的±1%或±4℃,取較大者)±1位以下。 -100℃以下的K熱電偶:±10℃以下 鉑電阻: (顯示值(PV)的±1%或±2℃,取較大者)±1位以下 模擬量輸入: ±1% FS±1位以下 | |
電壓變化的影響(見注2) | ||
比例帶(P) | 0.1 ~ 999.9 EU (以0.1 EU為單位)(見注3) | |
積分時間(I) | 1 ~ 3,999 s (以1 s為單位) | |
微分時間(D) | 0.0 ~ 999.9 s (以0.1 s為單位) | |
控制時間 | 0.5 s, 1 ~ 99 s (以1 s為單位) | |
報警輸出設定范圍 | -1,999 ~ 9,999 (小數(shù)點位置取決于小數(shù)點位置B的設定) | |
采樣時間 | 250 ms | |
信號源電阻的影響 | 熱電偶: 0.1℃ (0.2℉)/Ω 以下(每線100 Ω以下)(見注4) 鉑電阻: 0.4℃ (0.8℉)/Ω 以下(每線10 Ω以下) | |
緣電阻 | 20 MΩ 以上(500 VDC時) | |
緣強度 | 不同極性的帶電端子之間1 min為600 VAC, 50/60 Hz | |
抗振性 | X、Y和Z方向上各2個小時10~55 Hz, 20 m/s2 | |
抗沖擊性 | 6個方向上各3次150 m/s2 以下 | |
重量 | 180 g | |
保護等級 | 后蓋:IP20,端子部分:IP00 | |
存儲器保護 | EEPROM (非易失性存儲器)(可寫次數(shù):100,000) | |
標準 | 批準的標準 | UL61010C-1, CSA C22.2 No.1010-1 |
符合的標準 | EN61010-1 (IEC61010-1): 污染級別2,過電壓類別II | |
EMC指令 | EMI: EN61326 EMI 輻射: EN55011 1組 A類 EMI 傳導: EN55011 1組 A類 EMS: EN61326 ESD 抗性: EN61000-4-2 輻射電磁場抗性: EN61000-4-3 抗破裂/抗噪聲: EN61000-4-4 抗傳導干擾: EN61000-4-6 抗浪涌: EN61000-4-5 抗工業(yè)用電頻: EN61000-4-8 抗電壓偏向/中斷: EN61000-4-11 |